![]() |
|---|
![]() |
早稲田大学 超低損失電力トランジスタ研究開発拠点 |
![]() |
|---|
| ホーム | 拠点の概要 | 研究内容 | 装置の紹介 | 支援内容 | 支援申し込み | リンク集 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
新着情報
|
|||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
グループリーダーご挨拶
早稲田大学超低損失電力トランジスタ研究開発拠点では、半導体ダイヤモンドから作られた 均一な電界分布と電界効果トランジスタの高電流密度によって得られた高い絶縁性と導電性を持つ 高電圧と低抵抗スイッチを実現させています。 わたくしたちは、ダイヤモンドを含むトランジスタを構成する様々な先端材料やそのほかの多種先端材料を 加工することのできる施設を構築し、これらの活動により、本拠点を高精度かつ高出力、そしてトランジスタ性能の 詳細を評価する拠点として特徴づけています。 パワーデバイスの損失を最小限に抑えるためには、オフ状態での高電圧抵抗とオン状態での高電導性という 2つのトレードオフ要件を満たす必要があります。 ダイヤモンドはブレークダウン電界が最も大きい半導体であり、その一方で、超電導を起こすことのできる 低抵抗材料です。本プロジェクトに於いて、わたくしたちは電界効果トランジスタ(FET)の応用技術を加速させるために 上記のようなダイヤモンドの特性を活用しています。 |
||||||
|
グループリーダー
川原田 洋 ※photo by:塩澤秀樹 |
||||||
|
|
||||||