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超低損失電力トランジスタ研究開発拠点
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新着情報
 2014/02/19
      早稲田大学ナノテクノロジーフォーラムが、3月11日(火)に公開シンポジウム『ナノテクノロジーとその応用技術−環境・生命医科学分野への最新応用事例とイノベーション展開−』を開催いたします。
 2013/10/30
早稲田大学ナノテクノロジーフォーラムが、12月10日(火)に公開シンポジウム『スマートな電気エネルギーシステムとそれを支える要素技術(生成と消費)』を開催いたします。
−終了しました− 開催報告はこちら
2013/09/25
6 大学連携の成果として、早稲田大学ナノ機構が関わる2つの研究が科研費に採択されました。
2013/09/12
6大学連携の成果として、名古屋大学との共同研究がJSTのA-step事業に採択されました。
2013/08/19
2013年8月22日(木)に大日本印刷株式会社にて水野准教授による出張講演が行われました。
2013/08/19
9月18日・19日にMEMSの要素技術を学ぶ講座「微細加工の基礎コース」を開催いたします。 −終了しました− 講義の様子はこちら
2012/08/19
平成24年度のGRENE事業の成果をPDFにまとめました。
2012/03/09
低炭素研究ネットワーク研究成果報告会」にて報告を行いました。
(ポスターはこちら
2012/02/17
第12回国際ナノテクノロジー総合展・技術会議 nano tech 2012 」にてポスター展示報告を行いました。
・2012/01/28
ALCAによるサイトビジットが行われました。
・2012/01/25
「早稲田ダイヤモンド国際ワークショップ」が行われました。
 (ワークショップのプログラムはこちら
・2011/12/09
川原田リーダーの研究グループが「ニューダイヤモンドフォーラム」の「第25回ダイヤモンドシンポジウム」 において発表を行いました。(12/7 - 9)
(シンポジウムのプログラムはこちら
・2011/11/30
2012年3月9日(金)低炭素研究ネットワーク研究成果報告会が開催されます。
・2011/09/4−9/8
Diamond 2011において発表を行いました。
・2011/9
川原田教授と平岩研究院教授がWalter Schottky Institut (WSI) of Technical University of Munich (TUM)およびFraunhofer-Institut fur Angewandte Festkorperphysik (IAF)を訪問し、見学と意見交換を行いました。
・2011/08/29−9/2
第72回応用物理学会において発表を行いました。
・2011/08/22
Electronic Journal 2011年8月号に「超低損失電力トランジスタの研究開発」が掲載されました。
・2011/07/26
 「低炭素ネットワーク」共用機器の公開開始のお知らせ
・2011/06/03
 NIMSで開催されたオープン・ラボに参加しました。
・2011/06/02
 東京大学で開催されたオープン・ラボに参加しました。
・2011/05/16〜05/20
島根県松江において「International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2011」に参加しました。
・2011/03
3月11日に発生しました「東日本大震災」の被害を受けられた皆様にお見舞い申し上げます。今回の震災に伴い、一時的に全装置の稼働を停止し、各種動作点検を行いました。現在、全装置の修繕・チェックを終え、正常に稼働中です。
・2011/02/10
平成22年度新規研究開発課題として、先端的低炭素化技術開発事業(ALCA)に採択されました。
・2011/02/04
講演会/装置説明会開催
第1回拠点進捗会議
・2010/12/1
早稲田大学 重点領域機構の重点領域研究として採択されました。
・2010/07/22
文部科学省主催キックオフミーティング
・2010/06/14
文部科学省「低炭素社会構築に向けた研究基盤ネットワーク整備事業」のサテライト拠点として採択されました。

グループリーダーご挨拶
早稲田大学超低損失電力トランジスタ研究開発拠点では、半導体ダイヤモンドから作られた均一な電界分布と電界効果トランジスタの高電流密度によって得られた高い絶縁性と導電性を持つ高電圧と低抵抗スイッチを実現させています。わたくしたちは、ダイヤモンドを含むトランジスタを構成する様々な先端材料やそのほかの多種先端材料を加工することのできる施設を構築し、これらの活動により、本拠点を高精度かつ高出力、そしてトランジスタ性能の詳細を評価する拠点として特徴づけています。パワーデバイスの損失を最小限に抑えるためには、オフ状態での高電圧抵抗とオン状態での高電導性という2つのトレードオフ要件を満たす必要があります。ダイヤモンドはブレークダウン電界が最も大きい半導体であり、その一方で、超電導を起こすことのできる低抵抗材料です。本プロジェクトに於いて、わたくしたちは電界効果トランジスタ(FET)の応用技術を加速させるために上記のようなダイヤモンドの特性を活用しています。   
グループリーダー
kawarada川原田 洋
 
※photo by:塩澤秀樹