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超低損失電力トランジスタ研究開発拠点
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拠点の概要

 拠点の特徴
 低損失電力デバイス実用化加速のため、ダイヤモンドトランジスタでの高耐圧および高伝導の両立電力デバイスの低損失化には、オフ状態での高い耐圧とオン状態での高い伝導性という相反要求を満たす必要がある。ダイヤモンドは、半導体の中で最も高いブレークダウン電界を示す一方、超伝導体にもなる低抵抗物質である。したがって、電力デバイスに対する相反する要求を満足できる類まれな物質である。本プロジェクトでは、このダイヤモンド固有の特性を活かして電界効果トランジスタ(FET)の実用化技術を加速する。具体的には、金属-絶縁体-半導体(MOS)FETでの大電流密度化とそのドリフト領域の電界均一化により、超低損失電力ダイヤモンドFETの実用化を加速する。

(拠点の概要pdf)

(技術開発ロードマップpdf)