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超低損失電力トランジスタ研究開発拠点
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主な装置の紹介
(各装置名をクリックすると、装置詳細PDFを見ることができます。)

H21年度文科省補正予算(低炭素ネットワーク)で購入した下記の機器の共用を開始します。

基本的には現在NTRCにある機器と同様の運用を行いますが、若干の注意が必要です。
1. 本装置はNTRCの既存装置と比較して、高機能であり、また、特別な予算で購入した機器です。
  利用にあたっては、まず機器利用申込書を書いてください。(装置ごとに申込書が異なります。)
2. 上記1で認められたのち、各装置担当者からオペトレを受けてください。
  オペトレを受けるには条件があります。
(下記運用細目をご参照下さい)
3. 装置は装置予約管理システムに従って従来同様予約してください。(8月より)
4. 既に現在各装置をご使用の装置担当者以外の方は「パワーユーザー」と認定されます。
  別途オペトレを受けることは不要ですが、今後(8月以降)上記装置を利用する場合には1〜4の流れに従ってください。
  現在使用継続中の方もこの流れに従ってください。

低炭素ネットワーク支援実施要項 
(必読、同意された上でお申し込みください)
各申込書にご記入の上、メール添付にてお送りください。申込み先はこちら
(メールが立ち上がらない方はinn-jimu@list.waseda.jpまで)

低炭素関連装置 運用要項

低炭素研究ネットワーク支援実施要項 共用設備利用報告書


1.ラジカルモニター付きダイヤモンド成膜装置


ラジカルモニター付きダイヤモンド成膜装置 申込書(申請書と利用表の2枚組)
ラジカルモニター付きダイヤモンド成膜装置 運用要綱
(装置担当者:川原田)

【メーカー】株式会社アリオス 【型式】特注


2.表面安定化成膜装置

表面安定化成膜装置 申込書(申請書と利用表の2枚組)
表面安定化成膜装置 運用要綱
(装置担当者:川原田)

【メーカー】株式会社アリオス 【型式】特注


3.精密制御半導体基板アライメント・表面処理及び接合システム




精密制御半導体基板アライメント・表面処理及び接合システム 申込書
(申請書と利用表の2枚組)
精密制御半導体基板アライメント・表面処理及び接合システム 運用要綱
(装置担当者:水野)

【メーカー】ズース・マイクロテック株式会社 【型式】CB200m NP12 BA Gen3


4.アトミックレイヤーデポジション(ALD)装置

アトミックレイヤーデポジション(ALD)装置 申込書(申請書と利用表の2枚組)
アトミックレイヤーデポジション(ALD)装置 運用要綱
(装置担当者:野崎)

【メーカー】アルテック株式会社 【型式】SUNALE™ R-150


5.集束イオン/電子ビーム加工観察装置


集束イオン/電子ビーム加工観察装置 申込書(申請書と利用表の2枚組)
集束イオン/電子ビーム加工観察装置 運用要綱
(装置担当者:由比藤)

【メーカー】株式会社日立ハイテクノロジーズ 【型式】NB5000


6.高耐圧デバイス測定装置

高耐圧デバイス測定装置 申込書(申請書と利用表の2枚組)
高耐圧デバイス測定装置 運用要綱
(装置担当者:関口)

【メーカー】ナガセテクノエンジニアリング株式会社 【型式】特注


7.極微細表面解析装置(顕微ラマン分光装置AFM機能付き)

極微細表面解析装置(顕微ラマン分光装置AFM機能付き) 申込書
(申請書と利用表の2枚組)
極微細表面解析装置(顕微ラマン分光装置AFM機能付き) 運用要綱
(装置担当者:川原田)

【メーカー】株式会社東京インスツルメンツ 【型式】nanofinder 30


8.環境維持・制御装置



【メーカー】東横化学株式会社 【型式】特注